12月19日，外媒报道称中国一家秘密实验室已成功组装首台EUV极紫外光刻系统原型机，该设备采用逆向工程ASML现有技术，计划于2028年试产原型芯片。这一进展若属实，将标志着中国在半导体制造关键设备领域取得重要突破。
据披露，该原型机于2025年初在深圳某高安保设施内完成组装，体积显著大于ASML同类产品。其技术路径未采用国内高校研发的SSMB或DPP方案，而是与ASML相同的激光等离子体（LPP）技术，可产生13.5纳米波长的极紫外光。
LPP技术原理显示，其通过二氧化碳激光器将锡液滴汽化为等离子体，产生极紫外光后经多层膜收集镜导入光学系统。该过程每秒重复数万次，涉及超20万摄氏度高温等离子体生成等复杂工艺。
目前该设备已具备极紫外光生成能力，但关键瓶颈在于光学系统精度不足。报道指出，中国尚未能复刻ASML的高精度光学组件，无法实现光刻成像功能，且光源功率等核心参数尚未公开。
研发团队构成显示，该项目整合了前ASML全球多地员工及国内应届毕业生。例如前ASML光源技术专家林楠现任职中科院上海光机所，其团队在18个月内已申请8项EUV相关专利。为保密需要，部分成员使用假身份开展工作。
光刻机研发涉及精密光源、纳米级光学、特种材料等十余个高技术领域集成。EUV设备包含超10万零部件，需数百名专业工程师协同攻关。ASML官方回应称，技术复刻在理论层面可行，但实际执行面临巨大挑战。
报道提及的2028年试产目标尚未获官方证实，行业分析认为2030年可能是更现实的时间节点。当前中国在收集镜系统、照明光学系统、晶圆台等核心部件研发进度仍属未知。
半导体行业专家指出，EUV光刻机研发需突破"技术天花板"与"产业链壁垒"双重障碍。除设备本身外，还需配套的光刻胶、掩膜版等材料体系支撑，这些领域中国仍存在明显技术代差。
公开资料显示，全球仅ASML能量产EUV光刻机，其最新NXE:3800E型号每小时可处理超170片晶圆。中国自主研发设备要达到量产水平，仍需在零部件寿命、系统稳定性等方面实现突破。
值得注意的是，中国在光刻机领域采取多技术路线并进策略。除LPP方案外，清华大学SSMB方案与哈工大DPP方案仍在持续研发中，这些替代技术路径可能带来差异化突破。
该报道信息源尚未得到中国官方或学术机构确认。历史经验表明，光刻机研发需经历原理验证、工程样机、量产机型等阶段，每个阶段都可能面临不同技术挑战。行业观察人士建议对未经证实的技术进展保持审慎态度。
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